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理想光學(xué)系統(tǒng)的基本參數(shù)焦點(diǎn)、焦平面與光軸上無限遠(yuǎn)點(diǎn)相共軛的點(diǎn)稱為焦點(diǎn)。焦點(diǎn)有物方焦點(diǎn)和像方焦點(diǎn)之分，分別用F和F'表示。通過焦點(diǎn)垂直于光軸的平面稱為焦平面。焦平面也分物方焦平面和像方焦平面。主點(diǎn)、主平面垂軸放大率（像高和物高之比）為+1的一對(duì)共軛平面，稱為主平面。主平面和光軸的交點(diǎn)稱為主點(diǎn)，物方主點(diǎn)和像方主點(diǎn)分別用H和H'表示。主點(diǎn)到焦點(diǎn)的距離稱為焦距，焦距有正負(fù)之分，規(guī)定的光傳播方向?yàn)檎较颉Ｖ鼽c(diǎn)指向焦點(diǎn)的方向?yàn)楣鈧鞑シ较驎r(shí)，焦距為正。物方焦距和像方焦距分別用f和f'表示。存在下面關(guān)系：當(dāng)光學(xué)系統(tǒng)處于同一介質(zhì)中時(shí)，即n=n’時(shí)，物方焦距和像方焦距絕對(duì)值相等，符號(hào)相反： ...
在二維材料的基面上，晶格周期性與層狀體相中的晶格周期性相同。體和ML (2D)之間的主要區(qū)別是沿z方向的破壞對(duì)稱。例如，一些著名的TMDCs體態(tài)的原子公式為2H-MX2(H:六邊形對(duì)稱，M: Mo, W, X: S, Se, Te)，由于z向的破晶對(duì)稱，在ML中變?yōu)?H-MX2。因此，二維半導(dǎo)體晶體平面可以用兩個(gè)平行于基平面的基向量表示。根據(jù)單位細(xì)胞中矢量的長度和夾角，可以在二維空間中得到4種不同的晶體結(jié)構(gòu)，其中包含5個(gè)布拉瓦晶格。應(yīng)當(dāng)指出，由于元素周期表中有大量過渡金屬，許多過渡金屬以層狀結(jié)構(gòu)結(jié)晶，因此在自然界中可以找到許多tmdc。雖然所有這些層狀化合物都具有相同的MX2化學(xué)式，但并不是所 ...
輪廓上的點(diǎn)到基面上直線之間的距離?；€可通過zui小二乘線性回歸法或zui小包容區(qū)域法來計(jì)算?？偟闹本€度誤差STRt是偏離基線的zui大值之和，即輪廓線峰谷值。對(duì)于產(chǎn)品的直線度表示為STRt，物體運(yùn)動(dòng)的直線度表示為Txy,Txz。圖1.1直線度相關(guān)示意圖式中，S(x)為沿著X坐標(biāo)方向的直線度誤差。2直線度測(cè)量的主要方法（1）直線度基準(zhǔn)比較直線度測(cè)量是以直線為參考基準(zhǔn)，通過機(jī)械方法(直尺、直線等)或光學(xué)基準(zhǔn)(瞄準(zhǔn)線、光束等)來實(shí)現(xiàn)測(cè) 量。應(yīng)用實(shí)例有直線度測(cè)試儀、直線度干涉儀、準(zhǔn)直望遠(yuǎn)鏡及激光準(zhǔn)直儀。（2）斜率積分此方法基于局部斜率測(cè)量技術(shù)和對(duì)高度差求和的表面輪廓重建技術(shù)。因此，被測(cè)量是角度及距離 ...
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