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中文:超低照度CMOS;英文:extreme low light CMOS

解釋
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在傳統(tǒng)CMOS成像器件基礎(chǔ)上,通過改變光電探測器結(jié)構(gòu)、采用黑硅及微小信號放大電路等技術(shù),使CMOS靈敏度得到提高,可工作于三級夜天光低照度下的CMOS器件。