、有效質(zhì)量、載流子遷移率、飽和速度和臨界電場(chǎng)。由于這些優(yōu)點(diǎn)，基于二維半導(dǎo)體的新型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FETs）概念已經(jīng)被提出和證明。以zui具代表性的二維半導(dǎo)體MoS2為例，這些晶體管原型包括超短通道（FETs）、隧道（FETs）、鐵電（FETs）、負(fù)電容（FETs）、狄拉克源或冷源（FETs）、相變（FETs）、絲狀（FETs）、自旋（FETs）、電子（FETs）、雙極（FETs）、反雙極（FETs）等。等離子體處理是一種可靠、兼容、有效的實(shí)現(xiàn)這些二維晶體管的特定功能，提高器件的性能方法。由電子組成，離子、激發(fā)分子和自由基、等離子體作為物質(zhì)的第四態(tài)，可以通過(guò)不同的物理和化學(xué)機(jī)制與二維材料相互作用， ...

導(dǎo)致的無(wú)光照載流子產(chǎn)生。SPAD 512在室溫下通常產(chǎn)生10計(jì)數(shù)/秒（cps）的暗噪聲，而用于對(duì)比的EMCCD相機(jī)在-80°C冷卻條件下產(chǎn)生的暗電流為0.0003 e-/像素/秒。讀出噪聲：由于SPAD采用直接光子數(shù)字化轉(zhuǎn)換技術(shù)，其讀出噪聲可忽略不計(jì)——因?yàn)槊}沖幅度通常比讀出噪聲高10000倍。EMCCD的讀取噪聲也近乎為零：雖然傳感器本身存在讀取噪聲，但電子倍增步驟會(huì)在讀出前放大信號(hào)，使讀出噪聲從89 e-降至1 e-。時(shí)鐘感應(yīng)電荷噪聲：該噪聲僅存在于EMCCD相機(jī)中，由時(shí)鐘過(guò)程中產(chǎn)生的非預(yù)期電荷所致，表現(xiàn)為圖像中的偽尖峰（尤其在高壓EM增益時(shí)）。這種噪聲在普通CCD中會(huì)被讀出噪聲和熱噪聲等 ...