展示全部
結(jié)則是由一個(gè)P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體組合而成。N型半導(dǎo)體:N型半導(dǎo)體是在純凈的硅晶體中摻入五價(jià)元素(磷和砷)組成的。雜質(zhì)中四個(gè)價(jià)電子與硅組成共價(jià)鍵,剩余一個(gè)稱為自由電子(載流子)。因此N型半導(dǎo)體中載流子是自由電子。P型半導(dǎo)體:P型半導(dǎo)體是在硅中摻雜三價(jià)元素(硼)組成的。它和硅中價(jià)電子組成共價(jià)鍵時(shí)由于缺少一個(gè)價(jià)電子,從而形成空穴(載流子)。因此P型半導(dǎo)體中的載流子是空穴。將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體結(jié)合之后,由于兩側(cè)存在濃度差(N區(qū)多自由電子,P區(qū)多空穴),就形成了PN結(jié)(阻擋層)。N區(qū)自由電子向P區(qū)擴(kuò)散,P區(qū)空穴向N區(qū)擴(kuò)散,N區(qū)就形成帶正電離子,P區(qū)就形成帶負(fù)電離子。于是PN結(jié)形成了由N區(qū)指向P區(qū)的 ...
壓的情況下,P型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子空穴的分布是均勻的。在柵極施加小于P型半導(dǎo)體閾值電壓Uth時(shí),在半導(dǎo)體內(nèi)產(chǎn)生耗盡區(qū)。當(dāng)柵極電壓繼續(xù)增加,并大于閾值電壓后,耗盡區(qū)的深度和柵極電壓成正比。將半導(dǎo)體與絕緣界面上的電勢(shì)記為表面電勢(shì)Φs,表面電勢(shì)隨著柵極電壓Ug的增加而增加。下圖描述了二者在不存在反型層電荷時(shí),不同氧化層厚度下表面電勢(shì)和柵極電壓之間的關(guān)系。從曲線中看出,氧化層厚度越薄,曲線的直線性越好。當(dāng)柵極電壓Ug不變時(shí),表面電勢(shì)Φs和反型層電荷密度Qinv之間的關(guān)系。下圖可以看出,Φs隨著Qinv的增加而線性減小。電子之所以被吸附到半導(dǎo)體和氧化層的交界面處,是因?yàn)槟抢锏膭?shì)能最低。在空勢(shì)阱情況下,不 ...
分為n型或者P型半導(dǎo)體如圖1-8所示。在Cu2O中,銅空位出現(xiàn)淺的受主能級(jí),氧間位形成深能級(jí)缺陷,形成能分別為1.8eV、1.3eV。銅間位出現(xiàn)在深能級(jí),形成能為2.5eV左右。氧空位具有相對(duì)較低的形成能,但是它不穩(wěn)定。通常情況下容易得到Cu空位P型Cu2O半導(dǎo)體。圖1-8(a)為銅多氧少(b)為銅少氧多情況下Cu2O本征缺陷的形成能實(shí)驗(yàn)室前期通過電化學(xué)沉積控制生長(zhǎng)條件可得到n型的Cu2O半導(dǎo)體。如圖1-9所示,在特定的電壓、pH和溫度下才能實(shí)現(xiàn)Cu2O的電化學(xué)沉積。前期研究發(fā)現(xiàn)在不同電壓下制備的薄膜有Cu2O相、Cu-Cu2O相和Cu相等不同的相。沉積電壓對(duì)Cu2O薄膜的形貌、光學(xué)性質(zhì)影響較 ...
或 投遞簡(jiǎn)歷至: hr@auniontech.com