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中文:摻雜半導體;英文:doped semiconductor

解釋
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為滿足應用需求,在半導體中摻入一定濃度的某種雜質(zhì)原子,以改變其導電性和實現(xiàn)某種功能的半導體。為盡量減少因雜質(zhì)摻入引起的內(nèi)應力,應選擇與本征半導體格點上某元素原子半徑相近的雜質(zhì)原子并最好以替代方式摻入本征半導體晶格中。