墨烯器件放在拋光的銅板上（發(fā)射率約為0.1）,然后把器件和銅板放在加熱板上（如圖二a所示）.使用熱電偶來測量表面多層石墨烯的溫度,調(diào)節(jié)熱板的溫度,以保持表面多層石墨烯的溫度為35℃.使用Tix500熱像儀以恒定的發(fā)射率1記錄多層器件在不同插入偏壓下的熱像圖（如圖二b所示）.偏壓范圍由離子液體的電化學(xué)窗口決定。圖二b顯示了器件的紅外溫度從0 V時(shí)的30.5°C降低到4V時(shí)的28.1°C,可以通過ε=ε1（T1 / T）^4來確定表面的發(fā)射率ε,其中ε1是用于熱成像的發(fā)射率,T1是紅外溫度,T是通過熱電偶測得的實(shí)際溫度,因此這意味著通過離子液體嵌入抑降低器件的發(fā)射率.根據(jù)熱成像可以確定不同插層偏壓 ...

都是采用研磨拋光方法；光纖對準(zhǔn)調(diào)節(jié)一般采用無源或者有源二次對準(zhǔn)技術(shù)；而光纖接頭固定結(jié)構(gòu)則是隨著固定光纖并使之對準(zhǔn)的方式以及連接器的鎖定裝置而形式各異。對接耦合式光纖連接器，無論是對單模光纖還是多模光纖系統(tǒng)，常用的對準(zhǔn)機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)一般都采用直套筒式錐形（雙錐形）套筒結(jié)構(gòu)。如圖2所示，兩根帶連接的光纖被固定在兩個(gè)金屬或陶瓷的內(nèi)套筒中，內(nèi)套筒中心打有直徑為126 um（對單模光纖）或這127 um（對多模光纖）左右的精密孔，其孔徑稍大于包層外徑。兩個(gè)內(nèi)套筒共置于一個(gè)精密的圓柱形定位筒（即外套筒）內(nèi)，以保證兩根光纖同軸且兩端面準(zhǔn)確地接觸。兩個(gè)內(nèi)套筒的軸向定位由兩端的保持彈簧來保證。圖2 圓柱套筒型連接器基 ...

都是采用研磨拋光方法；光纖對準(zhǔn)調(diào)節(jié)一般采用無源或者有源二次對準(zhǔn)技術(shù)；而光纖接頭固定結(jié)構(gòu)則是隨著固定光纖并使之對準(zhǔn)的方式以及連接器的鎖定裝置而形式各異。對接耦合式光纖連接器，無論是對單模光纖還是多模光纖系統(tǒng)，常用的對準(zhǔn)機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)一般都采用直套筒式錐形（雙錐形）套筒結(jié)構(gòu)。如圖2所示，兩根帶連接的光纖被固定在兩個(gè)金屬或陶瓷的內(nèi)套筒中，內(nèi)套筒中心打有直徑為126 um（對單模光纖）或這127 um（對多模光纖）左右的精密孔，其孔徑稍大于包層外徑。兩個(gè)內(nèi)套筒共置于一個(gè)精密的圓柱形定位筒（即外套筒）內(nèi)，以保證兩根光纖同軸且兩端面準(zhǔn)確地接觸。兩個(gè)內(nèi)套筒的軸向定位由兩端的保持彈簧來保證。圖2 圓柱套筒型連接器基 ...

是微球面研磨拋光，插芯表面研磨成輕微球面。UPC (Ultra Physical Contact)，超物理端面。UPC連接器端面并不是完全平的，有一個(gè)輕微的弧度。APC (Angled Physical Contact)，斜面物理接觸，光纖端面通常研磨成8°斜面。插入損耗（Insertion Loss）：PC、UPC和APC連接器的典型插入損耗應(yīng)小于0.3dB（較大值），典型值一般小于0.2dB，UPC/PC連接器通常更容易實(shí)現(xiàn)低插入損耗。回波損耗（Return Loss）：APC連接器的回波損耗通常優(yōu)于UPC連接器，PC回波損耗為-45dB。UPC回波損耗一般是在-50dB（甚至更高）。AP ...

的基礎(chǔ)上優(yōu)化拋光和表面光潔度，使得端面的更具有弧度，在視覺上呈現(xiàn)更強(qiáng)的圓頂狀。UPC研磨的光纖連接器常用于以太網(wǎng)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、電話系統(tǒng)等。APC型：Angled Physical Contact，斜面物理接觸，即光纖端面的研磨帶有一個(gè)特定的角度，常用的有6度、8度。相較于前兩種研磨得到的光纖連接器而言，APC研磨的連接器，可以使光纖端面連接更加緊密，并讓反射回來的光信號通過其斜面反射到包層而不是光源處，有效抑制了反射光線對整個(gè)系統(tǒng)的影響，提供了更好的連接性能。APC研磨的光纖連接器則常用于高波長范圍的光學(xué)射頻應(yīng)用。按照連接器連接方式分：為適應(yīng)不同的使用場景，研發(fā)出了多種特點(diǎn)各異的光纖接頭，下面介紹 ...

模塊和輸出端拋光 FC/PC 連接器，反射率約為 4%。PCF 用于生成參數(shù)四波混頻 (FWM) 增益可通過波長調(diào)諧在750nm和980nm 之間進(jìn)行波長調(diào)諧僅5ms內(nèi)的振蕩器（相應(yīng)的波長調(diào)諧曲線可以在參考文獻(xiàn)的圖 3（a）中找到。）。FOPO 和放大的振蕩器脈沖的組合用作 CARS 的泵浦和斯托克斯波，并允許處理 700 cm-1和 3200 cm-1之間的拉曼譜帶。FOPO 諧振器中的 SMF完成了光譜窄色散調(diào)諧 ，使得反饋信號脈沖在時(shí)間上被拉長，并且只有窄光譜部分 (<12 cm-1) 與下一個(gè)要放大的泵浦脈沖重疊。因此，諧振器的光路長度直接與 FOPO 輸出的波長相關(guān)。自定義—— ...

，圓片再經(jīng)由拋光便可形成芯片制造所需的硅晶圓。經(jīng)過這么多步驟，芯片基板的制造便大功告成，下一步便是堆疊房子的步驟，也就是芯片制造。至于該如何制作芯片呢？三、層層堆疊打造的芯片在介紹過硅晶圓是什么東西后，同時(shí)，也知道制造 IC 芯片就像是用樂高積木蓋房子一樣，藉由一層又一層的堆疊，創(chuàng)造自己所期望的造型。然而，蓋房子有相當(dāng)多的步驟，IC 制造也是一樣，制造 IC 究竟有哪些步驟？下面將對 IC 芯片制造的流程做介紹。在開始前，我們要先認(rèn)識 IC 芯片是什么。IC，全名積體電路（Integrated Circuit），由它的命名可知它是將設(shè)計(jì)好的電路，以堆疊的方式組合起來。藉由這個(gè)方法，我們可以減少 ...

的鏡面表面用拋光技術(shù)拋光到1納米以下的粗糙度。硅的獨(dú)特之處在于，在鏡面金屬化之前，可以使用各種方法使表面超凈。此外，硅材料本身在制造過程中沒有任何殘余應(yīng)力，在鏡面微加工后仍保持這種性能。因此，硅反射鏡具有較高的平整度，曲率通常低于用傳統(tǒng)干涉儀測量的水平。作為MEMS鏡面的基材，硅具有較優(yōu)的潔凈度、平整度。在光束轉(zhuǎn)向應(yīng)用的Z后制造步驟中，硅鏡面必須涂覆以獲得所需波長的高反射率。在標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)過程中，硅鏡上會涂上一層薄薄的鋁，所有庫存的MEMS鏡面都用的鋁涂層。一些研發(fā)生產(chǎn)過程中的設(shè)計(jì)被涂上了黃金。一般來說，可以使用其他涂層材料，但有必要找到薄的、低應(yīng)力的涂層，而不會顯著降低鏡子的平整度特性。這是一個(gè) ...

離子交換樹脂拋光AHA溶液，以去除微量鹽并降低溶液的電導(dǎo)率。使用先前發(fā)表的方法測量了該電解質(zhì)系統(tǒng)的交越頻率（COF），發(fā)現(xiàn)其交越頻率（COF）為6.2MHz。3.3阻抗測量我們利用上游并行點(diǎn)陣列驅(qū)動fDEP流通過通道，并利用下游45°交錯(cuò)陣列作為阻抗傳感器。平行點(diǎn)電極軸向間隔20m，并對稱橋接微通道的寬度。我們使用帶有尖銳點(diǎn)的電極將電場聚焦到電極的尖端，并沿著主流通道壁增加與PDMS和玻璃基板的接觸。一個(gè)函數(shù)發(fā)生器(RigolDG4102)被連接到fDEP電極上，并傳遞一個(gè)交流電場來取代跨通道的接口。下游阻抗電極被交錯(cuò)，并相對于流動方向定位在45?的角度，以最大限度地提高陣列對界面位置變化的敏 ...

及用于光學(xué)的拋光和研磨。高溫高壓法的缺點(diǎn)是它只能生產(chǎn)出納米級到毫米級的單晶金剛石，這限制了它的應(yīng)用范圍。直到金剛石的化學(xué)氣相沉積（CVD）生產(chǎn)方法以及金剛石薄膜的出現(xiàn)，該金剛石的形式可以允許其更多的高ji特性被利用。金剛石的化學(xué)氣相沉積（CVD）生產(chǎn)方法相比起HPHT 復(fù)制自然界金剛石產(chǎn)生的環(huán)境和方法，化學(xué)氣相沉積選擇將碳原子一次一個(gè)地添加到初始模板中，從而產(chǎn)生四面體鍵合碳網(wǎng)絡(luò)結(jié)果?；瘜W(xué)氣相沉法，顧名思義，其主要涉及在固體表面上方發(fā)生的氣相化學(xué)反應(yīng)，從而導(dǎo)致沉積到該表面上。下圖展示了一些比較常見的制備方法金剛石薄膜一旦單個(gè)金剛石微晶在表面成核，就會在三個(gè)維度上進(jìn)行生長，直到晶體聚結(jié)。而形成了連 ...