5nm的Ta緩沖層。為避免氧化，采用了由2nm Cu和4nm Pt組成的蓋層。在硅襯底上測(cè)量了15 nm厚的Ni樣品，并對(duì)其進(jìn)行了縱向幾何測(cè)量。如果您磁學(xué)測(cè)量對(duì)有興趣，請(qǐng)?jiān)L問上海昊量光電的官方網(wǎng)頁：http://www.jiazhangclub.com/three-level-150.html更多詳情請(qǐng)聯(lián)系昊量光電/歡迎直接聯(lián)系昊量光電關(guān)于昊量光電：上海昊量光電設(shè)備有限公司是光電產(chǎn)品專業(yè)代理商，產(chǎn)品包括各類激光器、光電調(diào)制器、光學(xué)測(cè)量設(shè)備、光學(xué)元件等，涉及應(yīng)用涵蓋了材料加工、光通訊、生物醫(yī)療、科學(xué)研究、國防、量子光學(xué)、生物顯微、物聯(lián)傳感、激光制造等；可為客戶提供完整的設(shè)備安裝，培訓(xùn)，硬件開發(fā)，軟 ...

nm Pt緩沖層上，采用電子光刻技術(shù)制備了厚度為15 nm的CoPt3點(diǎn)。它們具有較大的垂直磁晶各向異性和鐵磁行為，其特征是定義良好的平方磁滯回線，矯頑力場(chǎng)為±3.7 kOe。圓點(diǎn)的直徑可在0.2 ~ 1 μm范圍內(nèi)變化。下面只給出1 μm點(diǎn)的結(jié)果。圖1實(shí)驗(yàn)配置能成像納米結(jié)構(gòu)的形貌以及磁化的動(dòng)力學(xué)。圖1為泵脈沖激勵(lì)后直徑為1μm的CoPt3點(diǎn)在不同時(shí)間延遲下的微分磁化圖像。注意，在當(dāng)前的測(cè)量中，激發(fā)不是固定在點(diǎn)的中心，而是在成像過程中與探針光束一起移位。圖a、b和c的序列表明，可以監(jiān)測(cè)磁點(diǎn)磁化的空間動(dòng)態(tài)。了解更多詳情，請(qǐng)?jiān)L問上海昊量光電的官方網(wǎng)頁：https://www.auniontech ...

nm Pt緩沖層上，通過電子光刻制成的圓盤的直徑為0.2 ~ 1m，圓盤之間的距離為0.5 ~ 2um。圖2圖2(a)表示時(shí)間的變化泵浦激勵(lì)密度為4 mJ cm?2，外加磁場(chǎng)設(shè)置為3.5 kOe，使靜態(tài)磁化達(dá)到飽和。插圖描繪了超快磁化動(dòng)力學(xué)的詳細(xì)視圖。圖2(b)表示類似的曲線，但激發(fā)密度為8 mJ cm?2。初始退磁發(fā)生在泵浦脈沖期間，對(duì)應(yīng)于自旋的激光加熱，發(fā)生在電子的熱化過程中由于探針脈沖持續(xù)時(shí)間為180秒，這里的熱化過程沒有得到解決。注意，對(duì)于zui大激勵(lì)密度[圖2(b)]，初始退磁完成。然后再磁化發(fā)生在兩個(gè)主要步驟。第1個(gè)對(duì)應(yīng)于自旋和晶格之間的平衡。兩種強(qiáng)度對(duì)應(yīng)的時(shí)間常數(shù)分別為2.5和 ...

空穴傳輸界面緩沖層，以提高基于PEDOT：PSS的光電器件（包括有機(jī)光伏（OPV）和有機(jī)發(fā)光二極管（OLED））的器件性能和長期穩(wěn)定性。利用密度泛函理論（DFT）計(jì)算，本文提出了石墨烯在O-種功能化過程中化學(xué)結(jié)構(gòu)變化的機(jī)理。O-Gr中的含氧空位可以通過抑制電荷復(fù)合來有效地接受空穴并傳輸它們。紫外-臭氧處理的佳干氧化過程成功地引入了氧并在石墨烯中產(chǎn)生了空位，但避免了石墨烯的強(qiáng)氧化。O-Gr夾層的引入促進(jìn)了高效的電荷遷移，改善了上層的薄膜性能，并抑制了有機(jī)光電器件（包括有機(jī)光伏（OPV）和有機(jī)發(fā)光二極管（OLED））中的漏電流。因此，采用 O-Gr 的 OPV 器件在開路電壓為0.716 V能達(dá)到 ...

在包括InP緩沖層和InGaAs犧牲光柵層的有源核心完成后被中斷。電子束光刻是為了直接在InGaAs犧牲層的頂部跟蹤光柵圖案，然后蝕刻以獲得單模工作所需的波導(dǎo)有效折射率的周期調(diào)制。包層和頂層生長在圖案核心材料的頂部，特別小心，以便在光柵層頂部再生的末端獲得一個(gè)平坦的表面。隨后的器件制造過程如下對(duì)于法布里-珀羅埋地異質(zhì)結(jié)構(gòu)器件。在圖2(b)中可以看到z終DFB制造器件沿著波導(dǎo)腔切割的SEM圖像，其中活性材料頂部的薄光斑表明存在InGaAs犧牲層。在側(cè)裂波導(dǎo)中，這代表了通過電子束圖案化和蝕刻InGaAs層獲得的周期性結(jié)構(gòu)。當(dāng)需要時(shí)，通過介質(zhì)沉積在先前隔離的激光切面上的金屬涂層進(jìn)行電子束蒸發(fā)來完成H ...

有一個(gè)InP緩沖層。這使我們能夠使用選擇性蝕刻，并在不影響有源區(qū)域的情況下通過InGaAs層進(jìn)行蝕刻。埋藏異質(zhì)結(jié)構(gòu)的選擇性生長和接觸沉積完成了激光加工。圖5圖6單模器件的結(jié)果如圖5所示，在15?C下，我們從單個(gè)發(fā)射極獲得了高達(dá)約Pout = 180 mW的連續(xù)功率。2毫米長的器件安裝在正面朝下，并在高達(dá)60°C的連續(xù)波中工作，輸出功率為10 mW。典型光譜如圖6(a)所示，其中對(duì)數(shù)尺度表示30 db側(cè)模抑制比。從連續(xù)波亞閾值光譜[圖6(b)]，我們可以確定布拉格阻帶的寬度，對(duì)應(yīng)耦合強(qiáng)度的估計(jì)約為kL = 3.5。該值高于強(qiáng)耦合分布式反饋設(shè)備（kL = 1-2）的通常預(yù)期值。對(duì)光柵與光學(xué)模式耦合 ...