統(tǒng)中制作的，晶格匹配于InP襯底這種特殊的材料系統(tǒng)的導(dǎo)帶偏移量(量子阱深度)為520 meV。這些基于InP的器件在中紅外光譜范圍內(nèi)達(dá)到了非常高的性能水平，實(shí)現(xiàn)了高于室溫的高功率，連續(xù)的波發(fā)射。1998年，Sirtori等人實(shí)現(xiàn)了GaAs/AlGaAs QCLs，證明了QC概念并不局限于一個材料系統(tǒng)。這種材料系統(tǒng)的量子阱深度隨勢壘中鋁的含量而變化。雖然基于GaAs的QCL在中紅外波段的性能水平無法與基于InP的QCL相匹配，但它們已被證明在太赫茲頻段非常成功。QCLs的短波長限制是由量子阱的深度決定的，近年來，為了實(shí)現(xiàn)短波長發(fā)射，在具有非常深量子阱的材料系統(tǒng)中開發(fā)了QCLs。InGaAs/Al ...

區(qū)域被設(shè)計(jì)在晶格匹配的Al0.48In0.52As/Ga0.47In0.53As中，這樣就可以在沒有應(yīng)變松弛[28]的情況下生長由許多核組成的非常厚的寬帶結(jié)構(gòu)。雖然這能成功實(shí)現(xiàn)的較長波長發(fā)射，但在較短的波長晶格匹配QCL性能惡化[4]。應(yīng)變平衡結(jié)構(gòu)可以解決這一問題，但由于阱和勢壘寬度的不同，應(yīng)變水平和材料組成通常隨發(fā)射波長而變化。在標(biāo)準(zhǔn)MBE反應(yīng)器中，通過改變積液細(xì)胞溫度來動態(tài)地改變單個生長過程中的組分，將導(dǎo)致生長速率和組分的不確定性。這將導(dǎo)致單個核的發(fā)射波長的不確定性，阻礙實(shí)現(xiàn)無間隙的寬發(fā)射光譜。因此，如果在所有波長都能保持高效率，那么寬頻帶QCL中所有核心的材料組成都保持恒定的替代設(shè)計(jì)方案 ...

的點(diǎn)上，而且晶格匹配合成條件可以減弱MoS2的晶格應(yīng)力。并且，在合成過程中，晶格匹配的GaN可以控制面缺陷的形成。圖2. MoS2疇左邊的光譜圖像和右邊的相關(guān)角度分析點(diǎn)圖在基底（a）SiO2，（b）Al2O3和（c）GaN上；左邊圖譜的出去譜圖顯示了疇方向的參考，右邊顯示了單個MoS2疇的相關(guān)方向相關(guān)文獻(xiàn)：Woanseo Park, Hyung Joon Kim, etc. Domain Aligned Growth of Molybdenum Disulfide on Various Substrates by Chemical Vapor Deposition[J]. Science of ...

dWHs不受晶格匹配和制造兼容性的限制，結(jié)合了不同2dm的優(yōu)點(diǎn)，為新功能的設(shè)計(jì)提供了巨大的機(jī)會。為了識別2DMs和vdWHs的各種基本性質(zhì)，需要一種方便的原位表征技術(shù)。在眾多的表征方法中，拉曼光譜是一種快速、無損的表征方法，具有較高的空間和光譜分辨率，在實(shí)驗(yàn)室和大規(guī)模生產(chǎn)中都很適用。一般來說，2DMs中晶格振動(即聲子)的拉曼峰具有幾個突出的特征，包括線的形狀、峰的位置(Pos)、半Z大值處的全寬度(FWHM)和強(qiáng)度(I)，這些特征包含了描述2DMs的物理和化學(xué)性質(zhì)的有用信息，如量子干涉、聲子頻率、中間態(tài)和拉曼過程的衰減率、電子-聲子耦合、電子態(tài)等。根據(jù)晶格振動的原子位移，在2DMs中有兩種拉 ...

限制。例如，晶格匹配對異質(zhì)結(jié)構(gòu)施加了限制，因?yàn)榫哂蟹浅２煌w結(jié)構(gòu)的材料在組合時(shí)不能很好地耦合。傳統(tǒng)的半導(dǎo)體也傾向于形成三維結(jié)構(gòu)，使得不配對的鍵更容易存在于表面。這些懸空鍵不僅使這些系統(tǒng)中的表面物理更加難以控制，而且使這些材料的薄膜變成準(zhǔn)二維(2D)結(jié)構(gòu)。幸運(yùn)的是，在過去的二十年里，一種新的材料出現(xiàn)了，它具有真正的二維性質(zhì)和光學(xué)定向自旋的能力。了解更多詳情，請?jiān)L問上海昊量光電的官方網(wǎng)頁：http://www.jiazhangclub.com/three-level-150.html更多詳情請聯(lián)系昊量光電/歡迎直接聯(lián)系昊量光電關(guān)于昊量光電：上海昊量光電設(shè)備有限公司是光電產(chǎn)品專業(yè)代理商，產(chǎn)品包括各類 ...

能夠充分利用晶格匹配和應(yīng)變補(bǔ)償InGaAs/InAlAs材料的帶隙偏移，而MWIR激光器需要高應(yīng)變生長以改善電子約束，從而提高電流注入效率。這種MWIR設(shè)計(jì)方法的缺點(diǎn)是需要高偏置電壓，這反過來又有助于產(chǎn)生更大的熱功率。LWIR范圍內(nèi)的典型工作電壓（7-10 V）明顯低于MWIR范圍（10-15 V），從而使應(yīng)用工程更具容忍度。LWIR激光器的典型能帶結(jié)構(gòu)如圖3所示與InP匹配的InGaAs/InAlAs晶格的帶偏移估計(jì)為βECB = 0.52 eV，激光發(fā)射波長為λ = 9.1 μm（對應(yīng)βEL = 0.136 eV）?？紤]到激光頂部水平應(yīng)在遠(yuǎn)離傳導(dǎo)帶連續(xù)體(例如,至少βEConf = 0.1 ...