解釋
中文：應變量子阱；英文：strained quantum well的原理；中文：應變量子阱；英文：strained quantum well的定義；中文：應變量子阱；英文：strained quantum well是什么。
異質(zhì)結構成的量子阱與兩邊壘層半導體材料的晶格常數(shù)匹配以避免產(chǎn)生大的內(nèi)應力而形成失配位錯的一種量子阱。但當阱層厚度小于某一臨界厚度時，由晶格失配所引起的內(nèi)應力可通過晶格彈性形變而釋放。這種應變量子阱能使半導體中價帶結構發(fā)生有利于提高光發(fā)射器件內(nèi)量子效率和改變光子偏振特性的變化。
