MAPbI3是應(yīng)用最廣泛的鈣鈦礦吸收材料，它具有優(yōu)越的光吸收條件、低的結(jié)合能、載流子壽命長(zhǎng)、雙電荷轉(zhuǎn)移和制備簡(jiǎn)單等性能。這些特性是MAPbI3 PSCs可以實(shí)現(xiàn)高能量轉(zhuǎn)移效率（PCE）的關(guān)鍵因素。使用源表為Keithley 2430太陽(yáng)模擬器在0.25cm2的陰罩下測(cè)量了J-V曲線，同時(shí)在AM為1.5G的輻照下校準(zhǔn)Si-參比電池。時(shí)間分辨光致發(fā)光譜（TRPL）使用（XperRam Ultimate）的激光系統(tǒng)，激發(fā)光源為405nm進(jìn)行測(cè)量分析。如圖1（a）所示為ITO/PEN and ETL/ITO/PEN結(jié)構(gòu)的光透射性能，表明在ITO/PEN基地上三種ETLs都有具有增透性能，由于具有高的結(jié) ...

究了具有不同電子傳輸層（PCBM和C60）的混合有機(jī)-無機(jī)甲基碘化鉛鈣鈦礦（CH3NH3PbI3）太陽(yáng)能電池的性能。用IMA獲得的發(fā)光高光譜數(shù)據(jù)有助于識(shí)別此類器件中的嚴(yán)重不均勻性（圖1）。這些空間不均勻性與載體提取問題有關(guān)，導(dǎo)致細(xì)胞的填充因子有限。圖1根據(jù)在1.15V和1.16V施加偏置下拍攝的EL高光譜圖像計(jì)算的當(dāng)前傳輸效率fT圖。對(duì)于使用PCBM（a，c，器件A）或C60（b，d，器件B）作為電子傳輸層（ETL）的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池，在微尺度（頂部）和整個(gè)器件級(jí)別（底部）進(jìn)行fTmapping。信號(hào)分布的插值已與色標(biāo)疊加，作為眼睛的指南[1]。二、鈣鈦礦晶體光致發(fā)光成像Photon與Davi ...

層和ETL(電子傳輸層)。圖1 OLED的結(jié)構(gòu)示意圖構(gòu)成OLED結(jié)構(gòu)的薄膜的計(jì)量是至關(guān)重要的。MProbe UVVis和MProbe UVVis- msp提供了一種廉價(jià)、可靠、非接觸的計(jì)量方法?？梢詼y(cè)量材料的厚度和光學(xué)常數(shù)。MProbe UVVis可以測(cè)量毯狀(無圖案)樣品，MProbe UVVis-msp可以使用非常小的光斑尺寸在像素級(jí)進(jìn)行測(cè)量。一、測(cè)量實(shí)例圖2玻璃上ITO(透明導(dǎo)電氧化物)的測(cè)量-使用參數(shù)化ITO模型確定厚度和光學(xué)常數(shù)圖3 ITO上html層的測(cè)量-測(cè)量了ITO和html的厚度圖4 測(cè)量ITO上的EML層-測(cè)量ITO和EML厚度圖5 測(cè)量ITO上的ETL層-測(cè)量ITO和ET ...

TO玻璃、 電子傳輸層、光吸收層、空穴傳輸層和電極組成。在PSCs的多層結(jié)構(gòu)中，空穴傳輸層（HTL）的設(shè)計(jì)是為了促進(jìn)電子和空穴的分離，這是電池性能和穩(wěn)定性的關(guān)鍵。然而，HTL本身存在的一些問題阻礙了PSCs技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用。目前，PSCs的HTL主要基于Spiro-OMeTAD、PTAA和P3HT等材料。對(duì)于大規(guī)模應(yīng)用而言，這些材料的成本都高的令人望而卻步，此外，Spiro-OMeTAD中的摻雜劑具有較強(qiáng)的吸水性，嚴(yán)重威脅了PSCs的使用壽命。因此，有必要探索一種低成本、穩(wěn)定的空穴傳輸材料（HTMs），用于PSCs的實(shí)用化階段。PEDOT通常與PSS結(jié)合使用，廣泛應(yīng)用于反向PSCs中，其價(jià)格比 ...