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中文:后烘;英文:post exposure bake

解釋
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對顯影后的光刻膠光柵在特定溫度條件下進行烘焙的過程。后烘可去除光柵基底上殘余的顯影溶劑,改善掩模與光柵基底的黏附能力,同時使掩模硬化。