）中通過全息曝光技術(shù)而得到的一種反射式體布拉格光柵（VBG）。其中，光敏玻璃（PTR）是一種摻雜有稀土元素的特殊玻璃。它可以承受高達(dá)5J/cm2的激光能量密度，熱穩(wěn)定良好（波長熱漂移降至5pm/K@532nm）、經(jīng)久耐用，經(jīng)研究測試：在使用的10年間，反射式體布拉格光柵（RBG）的各項(xiàng)參數(shù)均未發(fā)現(xiàn)有退化現(xiàn)象。正是由于體布拉格光柵反射鏡(RBG)的優(yōu)良性能，他現(xiàn)在被廣泛的用于激光器波長鎖定、橫縱模選取及控制、激光線寬壓窄及提高激光器工作溫度范圍的應(yīng)用領(lǐng)域中。隨著激光技術(shù)在生活、醫(yī)療、軍事、工程方面的應(yīng)用，高功率激光器也就越來越受到人們的歡迎。高功率的激光器自然也就需要擁有更高損傷閾值、更穩(wěn)定、更 ...

過紫外光干涉曝光方法加工制造產(chǎn)生，它是由3片超窄帶陷波濾光片（Notch Filter）和1~2片窄帶寬帶通濾光片（Bandpass Filter）組成。體布拉格窄帶陷波濾光片（BNF）和體布拉格帶通濾光片（BPF）都同屬于體布拉格光柵，它們都在低波數(shù)拉曼光譜的測量中發(fā)揮重要的作用。超低頻拉曼濾光片（ULF）具有其它標(biāo)準(zhǔn)拉曼濾光片遠(yuǎn)遠(yuǎn)無法比擬的特點(diǎn),如:l 可實(shí)現(xiàn)低至5cm-1的超低頻拉曼測量（單級光譜儀）；l 可同時(shí)測量斯托克斯和反-斯托克斯拉曼光譜帶；l 環(huán)境穩(wěn)定性強(qiáng)，不受濕度影響；l 無偏振敏感特性；l 可承受400高溫；超低頻拉曼光譜測量主要利用布拉格帶通濾光片（BPF）和布拉格窄帶寬 ...

曝光時(shí)間（Exposure Time）:指的是全局快門打開，圖像感應(yīng)器被暴露出來的這一段時(shí)間。對于連續(xù)光源，曝光時(shí)間與圖像亮度呈線性關(guān)系。增加曝光時(shí)間就會(huì)增加亮度，反之亦然。增益系數(shù)（Gain Factor）:表示CCD或CMOS感應(yīng)器與AD轉(zhuǎn)換器之間的電子學(xué)放大器的線性放大系數(shù)。較高的增益可以使圖像亮度增加但同時(shí)也增大了圖像噪聲。因此，強(qiáng)烈推薦通過控制曝光時(shí)間來對亮度進(jìn)行調(diào)節(jié)。自動(dòng)曝光功能（Auto Exposure control ）：光束質(zhì)量分析相機(jī)的曝光控制包括對曝光時(shí)間和電子學(xué)增益的調(diào)節(jié)。這兩個(gè)設(shè)置決定了相機(jī)的靈敏度，使其適合于實(shí)際的光束功率以便確保相機(jī)的模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器可以對幾乎整個(gè) ...

形結(jié)構(gòu)的單次曝光式加工。關(guān)鍵詞 空間光調(diào)制器 超快激光微納加工 微納加工 激光加工介紹： 空間光調(diào)制器(SLM)可以將信息加載到二維光學(xué)數(shù)據(jù)場中，是一種對光束進(jìn)行調(diào)整的器件。通過控制加載到SLM上的灰度圖，SLM可以調(diào)控空間光場的相位、振幅、偏振等，或者實(shí)現(xiàn)光的非相干性到相干性的轉(zhuǎn)變。將SLM同超快激光微納加工技術(shù)結(jié)合起來，發(fā)揮二者的優(yōu)勢，可大大提高激光微納加工的效率和靈活性。如：利用SLM生產(chǎn)多焦點(diǎn)的陣列（e.g. 30x30）, 從1個(gè)點(diǎn)變成900個(gè)點(diǎn)，加工效率提高900倍。同時(shí)通過控制各個(gè)點(diǎn)的位置，可以實(shí)現(xiàn)不同線寬不同焦深的控制。SLM還可以通過加載計(jì)算全息圖，可實(shí)現(xiàn)圖案結(jié)構(gòu)的一 ...

技術(shù)，因?yàn)槠?span style="color:red;">曝光成像的方式與傳統(tǒng)投影光刻基本相似，區(qū)別在于使用數(shù)字DMD代替?zhèn)鹘y(tǒng)的掩膜，其主要原理是通過計(jì)算機(jī)將所需的光刻圖案通過軟件輸入到DMD芯片中，并根據(jù)圖像中的黑白像素的分布來改變DMD芯片微鏡的轉(zhuǎn)角，并通過準(zhǔn)直光源照射到DMD芯片上形成與所需圖形一致的光圖像投射到基片表面，并通過控制樣品臺(tái)的移動(dòng)實(shí)現(xiàn)大面積的微結(jié)構(gòu)制備。設(shè)備原理圖圖下圖所示。相對于傳統(tǒng)的光刻設(shè)備，DMD無掩膜光刻機(jī)無需掩膜，節(jié)約了生產(chǎn)成本和周期并可以根據(jù)自己的需求靈活設(shè)計(jì)掩膜。相對于激光直寫設(shè)備，DMD芯片上的每一個(gè)微鏡都可以等效看成一束獨(dú)立光源，其曝光的過程相當(dāng)于多光束多點(diǎn)同時(shí)曝光可極大提高生產(chǎn)效率特別是對于結(jié)構(gòu)繁瑣 ...

信號(hào).②所需曝光時(shí)間長,增加了實(shí)驗(yàn)時(shí)間.③光斑大,不利于納米量級樣品的測試：根據(jù)光斑大小計(jì)算公式,光斑直徑D=1.22λ/NA,物鏡不變的情況下,短波長激發(fā)光光斑質(zhì)量高,空間分辨率高.05 532nm波長激發(fā)的樣品由于532nm激發(fā)是可見光光中應(yīng)用最為廣泛的,特此列出此波長激發(fā)的樣品.①一般多用于二維材料的測試,像目前研究比較火熱的石墨烯,過渡金屬二硫化物,黑磷之類的層狀二維材料,判定層數(shù),是否摻雜等等.②金屬氧化物：其中有建筑類材料例如氧化鐵氧化銅等無機(jī)顏料,還有發(fā)光類材料如氧化鎵等.③半導(dǎo)體材料：常用于分析此類材料的缺陷,結(jié)晶度,如單晶硅,多晶硅,二氧化硅,硫化鉛等.最后,我想說根據(jù)自己的 ...

置信息，中等曝光GNSS衛(wèi)星系統(tǒng)值，精確到納秒，提高曝光精度。3. 可直接觸發(fā)每個(gè)傳感器；支持脈寬調(diào)制/繼電器/電壓外部觸發(fā)，也支持傳感器間同步圖像采集。4. 有21種可供選擇的濾色片；窄帶，多頻帶，高對比度。5. 可旋轉(zhuǎn)傳感器板，允許不同方向的陣列方向，始終保持傳感器頂部指向前方并始終有適 當(dāng)?shù)膱D像重疊。規(guī)格 ...

形成干涉條紋曝光。通過控制光束的數(shù)量、入射角、波長、偏振態(tài)、強(qiáng)度、相位差等，可以精確控制干涉圖樣。論文中提出了用于增加干涉區(qū)域，從而實(shí)現(xiàn)高效利用高功率脈沖激光的新方法。此外，DLIP和LIPSS的結(jié)合，使得微結(jié)構(gòu)和亞微結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)效率大大提升，大面積衍射以及超疏水表面的生產(chǎn)面積上升了幾個(gè)數(shù)量級。實(shí)驗(yàn)中使用AISI 316L鋼作為試驗(yàn)材料，這種鋼在生產(chǎn)生活中有著廣泛應(yīng)用，比較有代表性。激光器使用的是1030nm的HiLASE PerlaB激光器。實(shí)驗(yàn)中的激光器設(shè)定的重復(fù)頻率為1kHz，脈沖長度為1.7ps，脈沖能量最高3mJ。光源產(chǎn)生的激光被棱鏡分成4路，然后通過300mm焦距的透鏡在加工面上干涉 ...

FS，需調(diào)整曝光時(shí)間或添加衰減片，使光強(qiáng)度示意條處于綠色狀態(tài)。三、調(diào)制過程如下圖所示，首先用WFS采集到當(dāng)前波前，然后與目標(biāo)波前做比較，算出差值；根據(jù)差值算出給DM施加的電壓，這時(shí)候波前比剛開始的時(shí)候會(huì)更接近目標(biāo)波前。然后進(jìn)行第二次當(dāng)前波前與目標(biāo)波前的差值計(jì)算，并重復(fù)執(zhí)行校正過程，循環(huán)執(zhí)行直至WFS采集到的波前與目標(biāo)波前很接近能達(dá)到設(shè)定值。四、軟件操作4.1. 打開SID4軟件，單擊Camera圖標(biāo)，選中Real time查看有無圖像顯示；若顯示正常則可以關(guān)閉該對話框。4.2. Manual control界面單擊Mirror，打開OAsys軟件；在manual control界面中，左側(cè)顯示 ...

圖象一次同時(shí)曝光。通常矩陣式CCD用來處理色彩的方法有兩種。一種是將彩色濾鏡嵌在CCD矩陣中，相近的像素使用不同顏色的濾鏡。典型的有G-R-G-B和C-Y-G-M兩種排列方式。這兩種排列方式成像的原理都是一樣的。在記錄照片的過程中，相機(jī)內(nèi)部的微處理器從每個(gè)像素獲得信號(hào)，將相鄰的四個(gè)點(diǎn)合成為一個(gè)像素點(diǎn)。該方法允許瞬間曝光，微處理器能運(yùn)算地非?？臁＿@就是大多數(shù)數(shù)碼相機(jī)CCD的成像原理。CMOS和CCD一樣同為在數(shù)碼相機(jī)中可記錄光線變化的半導(dǎo)體。CMOS的制造技術(shù)和一般計(jì)算機(jī)芯片沒什么差別，主要是利用硅和鍺這兩種元素所做成的半導(dǎo)體，使其在CMOS上共存著帶N（帶–電） 和 P（帶+電）級的半導(dǎo)體，這 ...