源所產(chǎn)生的熱輻射較低，不會(huì)對(duì)于微流控反應(yīng)器產(chǎn)生過多的熱量影響，從而保證反應(yīng)的精度和穩(wěn)定性。SOLA系列的LED白光光源耗電量較低，即開即用，較長(zhǎng)的使用壽命可以助您實(shí)驗(yàn)屢創(chuàng)突破。上海昊量光電作為L(zhǎng)umencor在中國(guó)的戰(zhàn)略合作伙伴，為您提供專業(yè)的選型以及技術(shù)服務(wù)。對(duì)于Lumencor有興趣或者任何問題，都?xì)g迎通過電話、電子郵件或者微信與我們聯(lián)系。如果您對(duì)LED白光光源有興趣，請(qǐng)?jiān)L問上海昊量光電的官方網(wǎng)頁(yè)：http://www.jiazhangclub.com/details-1803.html歡迎繼續(xù)關(guān)注上海昊量光電的各大媒體平臺(tái)，我們將不定期推出各種產(chǎn)品介紹與技術(shù)新聞。相關(guān)文獻(xiàn)：1.Ng E X ...

數(shù)A）、黑體輻射軌跡（2000-20000K）和zui新的LED標(biāo)準(zhǔn)光源，照度強(qiáng)度可調(diào)節(jié)，無(wú)預(yù)熱時(shí)間，穩(wěn)定性強(qiáng)，壽命長(zhǎng)，可自校準(zhǔn)等優(yōu)點(diǎn)。靈活的安裝方式可以按照客戶要求定制大空間光環(huán)境照明光源。LED通道光譜功率分布曲線新一代多通道光譜可調(diào)LED光源靈活安裝方式技術(shù)規(guī)格應(yīng)用照明研究通常需要提供各種色溫、光譜和強(qiáng)度模擬研究用的照明場(chǎng)景，并進(jìn)行相關(guān)的實(shí)驗(yàn)，找到zui佳的特定場(chǎng)景下的照明參數(shù)，包括健康照明、醫(yī)療照明、中間視覺、光的非生物效應(yīng)、物體顯色性、白度評(píng)價(jià)、農(nóng)業(yè)照明等各種色溫模擬計(jì)量和認(rèn)證光源產(chǎn)品已經(jīng)在計(jì)量院做過計(jì)量和檢測(cè)這款光源應(yīng)用的場(chǎng)景眾多。想要了解更多應(yīng)用可以聯(lián)系我們工程師。主要涉及到：醫(yī) ...

數(shù)相關(guān)性作為輻射波長(zhǎng)的函數(shù)。圖5，參考變量(即待測(cè)樣本水分和ρ)與預(yù)測(cè)變量(即LASUT(λ)的一階導(dǎo)數(shù))之間的相關(guān)系數(shù)。虛線與測(cè)樣本水分有關(guān)，橙色虛線與待測(cè)樣品ρ有關(guān)。淺藍(lán)色區(qū)域定義了感興趣的光譜帶(BOI)，其中LASUT的一階導(dǎo)數(shù)(λ)與SUT MC的相關(guān)性zui大，與待測(cè)樣品ρ的相關(guān)性zui小。圖6 顯示了從校準(zhǔn)中獲得的 PLS 響應(yīng)變量作為水分參考值的函數(shù)，而從驗(yàn)證數(shù)據(jù)集獲得的結(jié)果如圖 10 所示。為了完整起見，每個(gè)圖都顯示了 PLS 響應(yīng)變量，即水分的對(duì)數(shù)變換(ln(MC(%)) (a)，以及線性標(biāo)度中水分的相應(yīng)值 (b)。表 1 報(bào)告了開發(fā)的 PLS 模型的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，而圖 8 顯 ...

一種需要可變輻射功率的平衡行為，因此光源必須具有良好的調(diào)光特性。NewDEL光纖耦合LED光源在光動(dòng)力療法領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)：窄帶信號(hào)源的廣泛選擇脈寬調(diào)制(PWM)調(diào)光完全控制輻射功率沒有波長(zhǎng)漂移推薦型號(hào)：N405、N425、N475、N630、N680、N750、N8104.熒光引導(dǎo)手術(shù)Fluorescence Guided Surgery在癌癥手術(shù)中完全切除惡性細(xì)胞大大提高了患者的存活率，但將癌細(xì)胞與健康組織區(qū)分開來(lái)是具有挑戰(zhàn)性的。熒光引導(dǎo)手術(shù)(FGS)為外科醫(yī)生提供了一種強(qiáng)大的工具，可以清晰地觀察腫瘤邊緣，從而zui大限度地去除殘留的癌細(xì)胞。在FGS中，特別設(shè)計(jì)的熒光團(tuán)優(yōu)先在腫瘤中積聚。當(dāng)用適當(dāng) ...

磁疇成像的四種傳統(tǒng)磁光效應(yīng)從圖1的右列可以明顯看出傳統(tǒng)磁光效應(yīng)之間的現(xiàn)象學(xué)差異。對(duì)于Kerr, Voigt和梯度效應(yīng)，在光學(xué)偏光顯微鏡下，對(duì)FeSi晶體的四相疇圖進(jìn)行了成像，其中表面疇沿兩個(gè)正交易軸磁化。對(duì)于每種效果，通過適當(dāng)設(shè)置顯微鏡的光學(xué)元件并根據(jù)指示選擇適當(dāng)?shù)墓馊肷鋪?lái)調(diào)整典型的域?qū)Ρ榷?。在克爾效?yīng)中，四個(gè)疇相出現(xiàn)在多達(dá)四個(gè)不同的灰度級(jí)，因?yàn)檫@種效應(yīng)線性地依賴于磁化矢量。由于Voigt效應(yīng)具有二次依賴于磁化，相同的區(qū)域模式在Voigt顯微鏡中只顯示兩個(gè)灰度級(jí)，每個(gè)磁化軸一個(gè)，與磁化方向無(wú)關(guān)。在對(duì)磁化變化敏感的梯度效應(yīng)中成像，區(qū)域邊界顯示出依賴于鄰近區(qū)域相對(duì)磁化方向的對(duì)比度。梯度和Voigt ...

生干凈的軔致輻射剖面，而且它碰巧是一種具有高熔點(diǎn)的相當(dāng)耐用的金屬。相反，金(Au)在某些XRF應(yīng)用中產(chǎn)生非常有用的峰值，但它是一種軟金屬，相對(duì)較暗的焦點(diǎn)(即低功率負(fù)載)會(huì)對(duì)目標(biāo)材料造成損害，導(dǎo)致如此低的可實(shí)現(xiàn)計(jì)數(shù)率，以至于在除zui專業(yè)的應(yīng)用之外的所有應(yīng)用中都抵消了它的好處。因?yàn)閃是成像應(yīng)用中常見的目標(biāo)材料選擇，所以我們將重點(diǎn)關(guān)注W目標(biāo)源。標(biāo)準(zhǔn)W靶x射線管的功率載荷為1W/μm。當(dāng)功率超過1W/μm時(shí)，該光斑產(chǎn)生的功率過大，目標(biāo)無(wú)法處理，目標(biāo)磁盤將被損壞，有時(shí)在幾秒鐘內(nèi)就會(huì)損壞。Micro - X-Ray開發(fā)了一種獨(dú)特的目標(biāo)材料結(jié)構(gòu)，使用金剛石襯底將熱量從斑點(diǎn)轉(zhuǎn)移到陽(yáng)極，比標(biāo)準(zhǔn)目標(biāo)結(jié)構(gòu)更有效。 ...

種快速評(píng)估非輻射損失并獲得材料效率輸入的方法。為了獲得這樣的圖譜，使用532nm激光以10個(gè)太陽(yáng)的等效功率激發(fā)樣品。在不到一分鐘的時(shí)間內(nèi)以 670nm波長(zhǎng)從880nm采集到5nm的數(shù)據(jù)。圖3、在790nm處提取的PL圖像（a）和從不同區(qū)域提取的PL光譜（b）。還使用Photon的GRAND-EOS平臺(tái)進(jìn)行了大規(guī)模測(cè)量。使用532nm激光以0，1等效功率激發(fā)樣品。圖4顯示了在2cm*2cm視場(chǎng)上獲得的PL圖。GRAND-EOS允許在更大的層面上捕獲光學(xué)圖像，以幫助改進(jìn)制造過程圖4、(a)在790nm處提取的PL圖像，以及(b)從不同區(qū)域提取的PL光譜（參見相應(yīng)的靶標(biāo)）。使用GRAND-EOS系統(tǒng) ...

鏡被用于其高輻射輸出水平。通過光纖光導(dǎo)將光照傳輸?shù)斤@微鏡中，實(shí)現(xiàn)了光源與顯微鏡的物理分離，從而減少了顯微鏡的熱輸入，從而提高了顯微鏡的熱穩(wěn)定性。使用替代光源，如發(fā)光二極管(led)和激光，比傳統(tǒng)使用的弧光燈具有顯著的優(yōu)勢(shì)。兩者，led和激光，產(chǎn)生更大的和穩(wěn)定的強(qiáng)度比弧光燈。對(duì)于激光系統(tǒng)，由于激光散斑，在低對(duì)比度磁域圖像中引入圖像偽影，使用差分成像技術(shù)對(duì)其進(jìn)行放大。通過應(yīng)用不同的技術(shù)調(diào)制方法，這些影響被抑制到一定程度，使得激光照明適合磁光成像。然而，基于激光的照明目前主要應(yīng)用于寬視場(chǎng)時(shí)間分辨率成像設(shè)置。為了便于磁光對(duì)比度調(diào)整，基于激光的系統(tǒng)使用光纖照明。近年來(lái)，光纖耦合led已成為磁光學(xué)顯微鏡照 ...

出電極組成，輻射源的位置根 據(jù)下述公式來(lái)決定：式中，x為光斑距中心的x坐標(biāo)；Lx為有效面積的長(zhǎng)度；Ix1和Ix2分別為兩端電極的輸出電流。2.2光學(xué)三角法測(cè)量2.3一維PSD的剖面圖二維PSD的工作原理與一維的相同，在市場(chǎng)上能夠見到尺寸達(dá)到14mm ×14mm二維PSD。PSD的優(yōu)點(diǎn)是響應(yīng)時(shí)間頻率為1MHz的數(shù)量級(jí)時(shí)，能達(dá)到10μm的位置分辨率。這是可以實(shí)現(xiàn)的，因?yàn)橐痪S的 PSD僅有兩個(gè)信號(hào)輸出端，二維的有四個(gè)信號(hào)輸出端。PSD的時(shí)間響應(yīng)率和位置分辨率既與它的尺寸、 電阻和結(jié)構(gòu)有關(guān)，也與輸入光信號(hào)的波長(zhǎng)和功率有關(guān)。更多詳情請(qǐng)聯(lián)系昊量光電/歡迎直接聯(lián)系昊量光電關(guān)于昊量光電：上海昊量光電設(shè)備有限公 ...

發(fā)態(tài)上，再以輻射躍遷的形式發(fā)出熒光并回到基態(tài)。將激發(fā)光關(guān)閉后，分子的熒光強(qiáng)度也將隨時(shí)間逐漸下降。假定一個(gè)無(wú)限窄的脈沖光（δ函數(shù)）激發(fā)n0個(gè)熒光分子到其激發(fā)態(tài)，處于激發(fā)態(tài)的分子將通過輻射或非輻射躍遷返回基態(tài)。假定兩種衰減躍遷速率分別為Γ和Knr，則激發(fā)態(tài)衰減速率可表示為：其中n(t)表示時(shí)間ｔ時(shí)激發(fā)態(tài)分子的數(shù)目，由此可得到激發(fā)態(tài)物種的單指數(shù)衰減方程：上式中衰減總速率的倒數(shù)τ＝(Γ＋Knr)-1即為熒光壽命。熒光強(qiáng)度正比于衰減的激發(fā)態(tài)分子數(shù)，因此可將上式改寫為:該式中，I0即為分子受激發(fā)時(shí)的zui大光強(qiáng)。我們將該熒光強(qiáng)度下降至激發(fā)時(shí)的熒光zui大強(qiáng)度I0的1/e（約37％）所需要的時(shí)間，稱為熒光壽 ...